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AO4438
60V N-Channel MOSFET
General Description
The AO4438 uses advanced trench technology to
provide excellent R DS(ON) and low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications.
Product Summary
V DS (V) = 60V
I D = 8.2A (V GS = 10V)
R DS(ON) < 22m ? (V GS = 10V)
R DS(ON) < 27m ? (V GS = 4.5V)
100% UIS Tested
100% Rg Tested
SOIC-8
D
D
Top View
D
D
S
S
G
Bottom View
G
D
S
S
Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
T A =25°C
Symbol
V DS
V GS
Maximum
60
±20
8.2
Units
V
V
Current A
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
B
T A =70°C
T A =25°C
T A =70°C
I D
I DM
P D
6.6
40
3.1
2
A
W
Junction and Storage Temperature Range
T J , T STG
-55 to 150
°C
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Typ
Max
Units
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Ambient A
Maximum Junction-to-Lead C
t ≤ 10s
Steady-State
Steady-State
R θ JA
R θ JL
24
54
21
40
75
30
°C/W
°C/W
°C/W
Rev.5. 0: August 2013
www.aosmd.com
Page 1 of 4
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